2.5微米AMuLED显示面板由JBD专有的混合集成技术制造。在混合集成工艺中，首先在MOCVD的衬底（例如蓝宝石和GaAs）上生长超薄InGaN（用于蓝色和绿色）和AlInGaP（用于红色）外延层。然后将完整的外延层片与衬底晶片分离，并在低于350℃的温度下粘合到CMOS晶片上。这种晶圆级外延转移消除了对准键合的需要，并显著提高了像素产量，均匀性和制造产量。
在外延层转移之后，通过标准的光刻和蚀刻步骤将薄外延层薄片转换成CMOS背板晶片上的发射器阵列。随后通过光刻，钝化和金属化循环制作电接触。
将晶片切割成芯片之前，在单片晶片级刻度上的发射器上制造诸如微透镜和反射器阵列的光学元件。为了实现所需的光准直，发射器台面直径被设计为像素间距的三分之一左右。因此，对于2.5μm像素间距，发射器台面直径小于1微米，如图1中的扫描电子显微镜图像所示。
图1：由JBD专有的混合集成技术制造的AMuLED显示面板
除了推动单色像素发射器尺寸的界限，该公司还在探索多色微显示器面板。通过堆叠多片空白外延层和CMOS背板晶片来制造这些多色面板。在外延层堆叠之后是III-V /化合物半导体薄膜处理序列。在不使用对准键合或拾取位置的情况下，可以实现期望的像素产率和均匀性。
与DLP和LCOS相比，AMuLED显示面板不需要照明光源。III-V /氮化物化合物半导体光的发射和CMOS的数字图像控制集成在0.5mm厚的芯片中。这种混合集成显着降低了VR或AR设备中光学系统的复杂性。此外，与OLED微发射器相比，化合物半导体发射器提供更高的光输出强度。
例如，JBD的2.5μm像素间距AMuLED显示面板在625nm处提供100万cd·m -2，比OLED微显示器性能高出几个数量级。此外，AMuLED显示面板无需任何移动部件且不含有机材料，可在较宽的温度范围（-50℃至100℃）和恶劣的环境（振动和紫外线辐射）下使用，具有高可靠性和长寿命。
