伴随着近两年MicroLED终端产品的逐步落地，行业已经从样品验证阶段过渡到了量产导入和降本阶段。已经上市的产品包括大尺寸电视（三星/海信/TCL/辰显等）、手表（佳明 Fenix 8 Pro MicroLED）、车载显示（Ams-Osram/马瑞利 矩阵式大灯）和AR微显示器（JBD 蜂鸟II）等，显示应用呈现多点开花的局面。同时基于MicroLED的阵列光通讯技术也受到了台积电、微软和富士康等科技巨头公司的密切关注和投入，有望成为高速可见光通讯（VLC）、芯片间光互连（D2D）及硅光共封装光学（CPO）等前沿技术的理想解决方案。
站在LED、平板显示和半导体产业的交汇点，公司致力于成为Micro-LED行业全球领先的检测技术和设备提供商。随着巨量转移和单片集成的技术路线趋于收敛，与下游客户的密切合作过程中，公司的技术与产品线布局日益完善。自2022年7月推出国内首台晶圆级PL巨量检测设备后，又逐步拓展到了AOI位移量测和外延无图形缺陷检测等产品领域。至今已基本覆盖大陆头部厂商，同时积极开拓台湾客户，布局日韩和欧美等海外市场，成为当前环境下少有的前道设备出海案例。公司产品已完整覆盖衬底-外延段-COW芯片-COC巨量转移/微显-MIP/Panel模组各个Micro-LED前道生产环节，提供全面的基于光致发光PL、高精度明/暗场、和多重光学检测技术和产品。
Micro-LED发光性能缺陷检测设备
作为国内首家研发且目前唯一可量产Micro-LED发光性能缺陷检测设备的厂商，PL光致发光产品线是壹倍科技首款面向市场推出的产品，短短2年商业化时间，公司产品已完全覆盖国内全部头部芯片厂、巨量转移厂、面板厂和部分微显示器厂。
Micro-LED行业中，PL光致发光检测设备、巨量转移/修补设备是Micro-LED大规模量产和降本的关键设备，已成为Micro-LED制程中评估芯片发光性能的核心技术手段，壹倍科技历时3年时间已完成对日本滨松、日本东丽和韩国Etamax等海外对标厂商全面追赶，收获了来自大陆、台湾和海外客户的订单认可。
该设备主要应用于芯片厂COC制成、巨转移厂COW制成和模组厂MIP制成中，其串联Micro-LED晶圆整个图形化到模组化之间的过程，通过非接触、无损的方式提供芯片发光亮度、光谱分布、发光均匀性等检测指标，并为巨量转移、巨量修复、分/混Bin、MIP模组化提供最为基础的芯片性能数据。同时，该设备晶圆检出速度可达15片/小时，晶粒检测速度每小时可达数千万颗，在保证检测精度和稳定性的基础上，能够充分满足上下游其他环节节拍要求。
Micro-LED衬底及外延检测设备
随着MicroLED产业迈入量产，业界对于晶圆良率和成本的要求不断提升。而大量的LED芯粒后道失效问题均源于最初的衬底表面缺陷或外延层生长不良。特别是随着芯粒尺寸越来越小，甚至降至5μm以下(如AR微显示应用)，其对于外延层缺陷的敏感度越来越高，且存在多种类型的亚表面晶体缺陷，这些缺陷采用传统检测手段无法检出。
壹倍推出的Micro-LED衬底及外延专用检测设备采用显微光致发光成像、共聚焦微分干涉成像及高分辨暗场成像及宽光谱PL成像技术，实现透明样品的无接触、非破坏性和超快速的缺陷/亚表面缺陷检出，提供不同维度检测的缺陷Mapping、外延与器件叠图Mapping与分区混Bin良率统计结果。
AOI转移位移和缺陷量检测设备
Micro-LED场景中的芯片缺陷检测与量测具备明显的行业特征：数据巨量、缺陷尺寸小、位置度信息敏感、检测节拍要求极高等特点。对于传统AOI厂商而言，进入Micro-LED场景提供以传统机器视觉为技术支撑的产品完全无法满足客户需求。
壹倍科技AOI芯片缺陷量检测设备，采用超宽场、高NA、显微线扫光学成像系统与高通量图像处理算法，结合系统误差整合分析和校准技术、运动与图像像质的自适应补偿技术，可以对Micro LED工艺制程中的COW以及巨量转移前后的COC的晶圆进行全面的精细检查，同时具备亚微米级的全局位移量检出能力，因此可以有效地对巨量检测转移工序良率进行监测和管控。可在数分钟内检测 Micro LED COW (Chip on Wafer)或COC (Chip on Carrier)晶圆上数千万颗芯粒的缺陷检测或位置量测，最小可检出亚微米级的缺陷和偏移。
