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三星弯道超车 2年后赶上台积电:3nm独一无二

字体变大  字体变小 发布日期:2020-11-20  来源:快科技  浏览次数:513
核心提示:在半导体晶圆代工上,台积电一家独大,从10nm之后开始遥遥领先,然而三星的追赶一刻也没放松,今年三星也量产了5nm EUV工艺。三星计划在2年内追上台积电,2022年将量产3nm工艺。

在半导体晶圆代工上,台积电一家独大,从10nm之后开始遥遥领先,然而三星的追赶一刻也没放松,今年三星也量产了5nm EUV工艺。三星计划在2年内追上台积电,2022年将量产3nm工艺。

 

从2019年开始,三星启动了一个“半导体2030计划”,希望在2030年之前投资133万亿韩元,约合1160亿美元称为全球最大的半导体公司,其中先进逻辑工艺是重点之一,目标就是要追赶上台积电。

 

在最近的几代工艺上,三星的量产进度都落后于台积电,包括10nm、7nm及5nm,不过5nm算是缩短了差距,今年也量产了,此前也获得了高通、NVIDIA、IBM等客户的8nm、7nm订单。

 

 

但三星追赶台积电的关键是在下一代的3nm上,因为这一代工艺上三星押注了GAA环绕栅极晶体管,是全球第1家导入GAA工艺以取代FinFET工艺的,而台积电比较保守,3nm还是用FinFET,2nm上才会使用GAA工艺。

 

新消息称,三星半导体业务部门的高管日前透露说,三星计划在2022年量产3nm工艺,而台积电的计划是2022年下半年量产3nm工艺,如此一来三星两年后就要赶超台积电了。

 

值得一提的是,台积电也似乎感受到了三星的压力,原本计划2024年才推出2nm工艺,现在研发顺利,2023年下半年就准确试产了。

 
 
关键词: 半导体 台积电
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