中商产业研究院发布的《2024-2029 年中国 Micro LED 市场调查与行业前景预测专题研究报告》显示，2024 年全球 Micro LED 市场规模将达 14 亿美元，预计 2029 年将增至 93 亿美元。行业增长主要由 AR/VR、智能手表、大屏电视、车载显示等终端应用的旺盛需求驱动。

Micro LED 技术自落地研发以来，始终面临四大核心难题：外延生长与衬底工艺、芯片制备、巨量转移、检测与修复。其中衬底瓶颈更是长期制约规模化量产的关键。传统 LED 芯片需在蓝宝石、碳化硅等衬底材料上外延生长，这类衬底不仅会吸收部分光线、拉低整体发光效率，同时导热性能受限，影响器件工作稳定性与使用寿命。尤其对于微米级的 Micro LED 器件，衬底带来的负面效应被进一步放大。

无衬底 Micro LED，是通过激光剥离（LLO）等先进工艺，将传统 LED 芯片的蓝宝石、GaAs 衬底完全剥离去除，仅保留约 5μm 厚度的氮化镓外延层，并直接在外延层制备电极的新一代显示技术。这项技术突破带来三大核心优势：

·光效大幅提升：彻底消除衬底吸光损耗，外部量子效率可提升 30% 以上；

·散热性能优化：无衬底结构有效降低器件热阻，大幅提升工作可靠性；

·量产成本下探：省去昂贵衬底材料开支，同时简化后续封装与制程工艺。

当前，业内头部企业已在无衬底 Micro LED 赛道接连取得技术与落地突破。依托长期技术积淀，雷曼光电已搭建起 MIP 器件、PM 玻璃基板、AM 玻璃基板三大无衬底 Micro LED 应用路线，目前其无衬底 Micro LED 技术成熟度已达 60%—70%。

利亚德则在 Infocomm China 展会上重磅发布 TWH (Hi-Micro) 系列新品，聚焦技术落地与终端体验，把产品可靠性、画质表现、能效控制与画面流畅度融为一体。芯片端采用Micro 全倒装无衬底芯片，芯片最短边尺寸小于 30μm，处于当前 LED 显示量产产品芯片尺寸领先梯队。该产品摒弃传统蓝宝石、GaAs 衬底，依托激光剥离等工艺仅保留 5μm 量级超薄芯片结构，画面色彩表现力得到显著提升。

尽管无衬底 Micro LED 发展前景明朗，但产业化落地仍面临多重技术壁垒。全球顶尖科研机构与企业正通过多条创新路径攻坚突破。其中，巨量转移仍是 Micro LED 产业化最核心的卡点，需要将数百万乃至数千万颗微米级 LED 芯片，高精度、高效率转移至驱动背板。目前行业主流三大转移方案各有优劣：弹性体印章转移依靠弹性材质拾取贴装芯片，对位精度高但转移速度偏慢；流体组装利用液体流动实现芯片自对位组装，量产速度快但对位精度仍需优化；激光转移采用激光束实现芯片非接触式剥离转移，无需物理接触但设备与量产成本偏高。

结语

无衬底 Micro LED 的崛起，不只是单一显示技术的迭代升级，更是一场全产业生态的重构变革。其 “去衬底化” 的极简技术逻辑，打破了传统显示技术的性能天花板，为终端视觉体验升级开辟了全新想象空间。正如雷曼光电技术研发中心高级总监屠孟龙所言：“无衬底 Micro LED 不是简单的技术升级，而是显示产业的范式转移，它将重新定义显示的边界和价值。”