设为首页  |    |  广告服务  |  客服中心
当前位置: 首页 » 显示屏网 » 工程案例 » 正文

东北大学开发出低电流下高效发光的GaN Micro LED

字体变大  字体变小 发布日期:2019-08-06  浏览次数:782
核心提示:产业技术综合研究所和东北大学于2019年7月宣布,他们开发了一种在电流密度较低情况下也能保持发光效率的GaN(氮化镓)Micro LED。
 产业技术综合研究所和东北大学于2019年7月宣布,他们开发了一种在电流密度较低情况下也能保持发光效率的GaN(氮化镓)Micro LED。他们试做的GaN Micro LED尺寸仅为6μm见方,如果把这款GaN Micro LED以较高的密度排列的话,就可以获得高效率、高分辨率的Micro LED显示屏。

本次研究中,产总研致力于研究通过中性粒子光束蚀刻(Beam Etching)技术制作具有GaN纳米结构的LED;日本东北大学开发了对半导体材料几乎不会产生损伤的中性粒子光束蚀刻技术(Beam Etching)。两家单位通过合作,共同开发了GaN Micro LED。

该研究小组此次采用了中性粒子光束蚀刻(Beam Etching)技术和传统的ICP蚀刻(Etching)技术,分别制作了4种不同尺寸(40μm见方、20μm见方、10μm见方、6μm见方)的GaN Micro LED。

关于6μm的Micro LED,当电流密度为5A/cm2时,比较了采用两种技术后的发光效率。结果,利用中性粒子光束蚀刻技术试做的产品的发光效率几乎是ICP蚀刻技术的5倍。

使用6μm的Micro LED,显示屏的分辨率就会超过2000像素(Pixel)/英寸,那么就可以应用于虚拟现实(AR)、扩展现实(XR)的头戴式显示屏(Head Mount Display)等用途。(来源:eetimes.jp)

 

 
关键词: 东北大学
【免责声明】本文仅代表作者个人观点,与搜搜LED网无关。本网站对文中所包含内容的真实性、准确性或完整性不作任何保证或承诺,请读者仅作参考,并请自行核实相关内容。所有投稿或约稿,一经采用,即被视为完全授权,本网有权在不通知作者的情形下,在本传媒旗下平台选择调用。
【版权声明】「搜搜LED」网所刊原创内容之著作权属于「搜搜LED」网站所有,包括在标题后表明(本刊)字的均属本刊原创并已刊登杂志的文章,本着信息共享与尊重原创作者的原则,转载必须注明来源:搜搜LED网或《LED照明世界》或《LED屏显世界》,如有发现在未注明来源的情况下复制、转载或出版,将追究其相关法律责任。
 
[ 显示屏网搜索 ]  [ ]  [ 告诉好友 ]  [ 打印本文 ]  [ 关闭窗口 ]

 
在线评论
 
推荐图文
推荐显示屏网
点击排行
最新资讯
LED网 | 微信 | 关于我们 | 联系方式 | 使用协议 | 版权隐私 | 网站地图 | 排名推广 | 广告服务 | 积分换礼 | 网站留言 | RSS订阅 | 粤ICP备09180418号

©2014搜搜LED网版权所有  >

购物车(0)    站内信(0)     新对话(0)
 
顶部微信二维码微博二维码
底部
扫描微信二维码关注我为好友
扫描微博二维码关注我为好友