中村修二被誉为蓝光LED之父，去年诺贝尔并以他研发“氮化镓”颁发物理学奖，但他解释正确名称应是“氮化铟镓”。

中村修二参加交通大学卓越系列讲座，演讲高亮度蓝光发光二极体(LED)雷射的发展及未来展望(Developments of InGaN-based double-hetero-structure high brightness blue LEDs and future lighting)及氮化镓雷射的潜力(Potential of GaN based Laser Lighting)。交大表示，中村修二一开始就用幽默的方式阐述去年获得诺贝尔奖的心路历程，他并特别解释诺贝尔奖主办单位及媒体报导多以研发氮化镓（GaN）做为获奖理由，但他认为技术突破是在蓝光，应是氮化铟镓（InGaN）才对，前面少了铟(In)。

中村修二是高亮度蓝色LED与青紫色雷射LED的发明者，世称“蓝光之父”，他突破了过去30年的技术瓶颈，除大幅提高蓝光LED的亮度，进而做出白光LED，全面带动照明技术革新。

交大指出，中村回顾了蓝色LED的研究过程，强调高亮度化不可缺少InGaN的重要性，并说明氮化镓基板所带来的冲击及LED应用在雷射照明、微显示技术及车灯上的研究成果、产业趋势。