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第三代半导体新品速递!国星光电NS62m功率模块上线

字体变大  字体变小 发布日期:2022-12-14  浏览次数:2041
核心提示:近日,国星光电研究院基于宽禁带半导体碳化硅技术,全新推出“NS62m SiC MOSFET功率模块新品”,可应用于传统工控、储能逆变、UPS、充电桩、轨道交通和其他功率变换领域。

近日,国星光电研究院基于宽禁带半导体碳化硅技术,全新推出portant;">“NS62m SiC MOSFET功率模块新品”,可应用于传统工控、储能逆变、UPS、充电桩、轨道交通和其他功率变换领域。

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能源转型

储能风起正当时

在“双碳”目标背景下,我国电力系统将向以新能源为主体的新型电力系统转型,储能作为灵活调节电源在新型电力系统中承担重任。而储能逆变器是储能系统中关键的一环,可控制储能电池组充电和放电过程,在提高储能系统的效率及降低成本方面起着重要作用。

 

面向储能逆变器市场,国星光电NS62m功率模块新品依托SiC MOSFET芯片的优异性能,提高了功率模块的电流密度以及开关频率,降低了开关损耗和导通损耗,减少了无源器件的使用和冷却装置的尺寸,最终达到降低系统成本、提升系统效率的目的。


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四大优势
全面揭晓NS62m 

 

兼容灵活性能佳

 

国星光电NS62m功率模块采用标准型封装,半桥拓扑设计,内置NTC热敏电阻,可实现温度监控;采用62mm尺寸标准基板和接口,可兼容行业内各大主流产品,实现快速替换使用;具有150℃的连续工作温度(Tvjop)和优秀的温度循环能力,器件可靠性表现卓越。



 

全桥拓扑可并联

 

NS62m功率模块以半桥电路结构应用于逆变器中。在实际应用中,一般会以2个或3个NS62m功率模块并联的形式构成单相全桥拓扑或三相桥拓扑,将直流电变成频率、幅值可调的交流电,实现逆变功能。基于NS62m功率模块内SiC MOSFET的体二极管具有出色的开关特性和反向恢复性能,因此在无需额外搭配二极管器件,更可满足多数场景下的续流要求。


如图中橙色框图部分所示,每个框图代表一个NS62m功率模块,此图为2个NS62m功率模块并联的形式构成单相全桥拓扑。


 

参数对比见真章



NS62m功率模块在工作时可达到更高的开关频率、更低的开关损耗,同时,可帮助变换器系统效率的提升和散热结构成本的降低。


根据实验数据可得,与市场同等电流规格的产品对比,NS62m功率模块动态特性开通延迟时间减少79纳秒;上升时间减少42纳秒;关断延迟时间减少468纳秒。开启损耗降低82%,关断损耗降低92%,整体开关损耗表现优秀。


产品丰富因需至

 


针对传统工控、储能逆变、充电桩等应用领域的需求,国星光电NS62m SiC MOSFET模块系列型号丰富,可供选择。依托国星光电先进的第三代半导体器件生产线,公司可响应不同封装及规格的SiC功率模块定制开发需求,为客户提供高质量的定制化产品服务。




目前,国星光电正加速深入第三代半导体赛道,以自主创新为驱动,努力攻克技术难关,加速科技成果转化,推动产品迭代更新,为第三代半导体产业化高质量发展注入源源不断的新活力。







 
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