Micro LED在性能上几乎是无懈可击的，但显示技术的现状还许多难点，Micro LED 还有很长的一段路要走，也相信通过时间的推移，Micro LED也许会成为所有显示技术的终结者。

早在2014年，苹果收购了一家以研发M i c r o LED为主的微型公司LuxVue Technology，自此Micro LED显示，开始逐渐步入了普通大众的视野。

    LED显示屏具有高亮度、单点可控、色彩饱满、节能环保、寿命长等优势，也是当今唯一的一种可以用于户外的显示技术。从现存的面板显示技术来看，Micro LED具有非常显明的优势。

液晶LCD显示最大的问题，第一是亮度不够，不适合户外环境。第二是液晶技术很难把显示面积做大，而液晶单元拼接显示又会产生非常明显的拼缝。而LED显示屏天然亮度高，非常适合户外环境的使用；LED显示屏可以无限拼接，再大的显示面积都不是问题。同时，LED显示的耗电量也只是液晶LCD的十分之一，节能效果明显。

与有机OLED显示技术相比较，因为LED是无机的，所以使用寿命会更长。同时它的耗电量是OLED的一半，户外显示效果更好。Micro LED还能和OLED一样做成柔性可弯曲的曲面。

    更为重要的一点，Micro LED还可以同时具备发光能力与感测能力，也就是说，他还可以整合传感器的功能。因此，Micro LED的应用还有很多可以想象的空间。

从目前来看，Micro LED的性能几乎是无懈可击的，具有所有显示技术的优点。

我们LED显示屏，包括最小的小间距显示屏所使用的芯片尺寸，大约在100μm以上。而Micro LED的芯片需要使用与目前芯片完全不同的生产技术，尺寸最小可以做到几个μm.业界对Micro LED芯片大小还没有最终明确的定义。大多数人认为，芯片尺寸最少做到小于50μm，才可以被称为是Micro LED的技术范畴。

上图中最核心关键的是第一和第二步。

第一步，LED晶片的微缩制程。目前有三种技术途径可实现微缩制程：Chip Bonding（芯片焊接）、Wafer Bonding（晶片焊 接）、Thin film transfer（薄膜转移）。但是只有后两种可以实现巨量转移。

通过晶片微缩制程，业界已有多家的技术水平可以把芯片做到的50-100μm。Sony公司 的CLEDIS芯片尺寸达到20μm，苹果的技术平是10μm。另外，实验室里，也已经成功做到3μm 甚至1μm。

第二步, 就是巨量转移技术，如何把数量庞大的微米级的芯片转移到电路基板上，也是 Micro LED目前最大的技术瓶颈。巨量转移技术涉及到生产设备精密度、制程良率、产出速度、检测设备及仪器的精确稳定性、坏点维修方式、制程加工成本的降低等。涉及的产业横跨LED、半导体、面板上下游供应链，技术门槛相当高。

    举个例子，关于产出速度。目前用于制造传统LED显示屏的固晶机，每秒可在基板上贴装1到10个LED，通过目前的方法生产全高清200万像素的100英寸显示器需要30多天。因此，如果用现在的贴片机生产工Micro LED，产能几乎是无法想象的。韩国机械和材料研究所研发出一项卷轴专利技术，这种滚动转移工艺每秒可以转移10,000余个LED，可在一个小时内完成整个过程。

诚然，Micro LED还有很长的路要走。除了上述的量产制程挑战以外，芯片本身的一致性以及如何维修等，都还是尚待解决的难题。Sony就是因为在研发Micro LED电视应用上遇到了巨大的困难,才转而把此技术应用到了大屏幕。

对Micro LED技术的探索，目前还局限在非常小面积的显示需求，例如手表、手机、可穿戴装置等。而对微间距技术的研发，又催生了Mini LED技术。它的芯片尺寸大约在 50μm—100μm之间，短期内可期待的应用有电视背光和车用照明等。

对Micro LED显示技术的研发，汇聚了全球范围内的众多传统和初创的科技公司，其技术发展用日新月异来形容，毫不为过。假以时日，Micro LED也许最终将成为所有显示技术的终结者。