一，MB芯片
定义：MB 芯片﹕Metal Bonding (金属粘着）芯片﹔该芯片属于UEC 的专利产品
特点：
1、 采用高散热系数的材料---Si 作为衬底﹐散热容易.
1、 采用高散热系数的材料---Si 作为衬底﹐散热容易.
Thermal Conductivity
GaAs: 46 W/m-K
GaP: 77 W/m-K
Si: 125 ～ 150 W/m-K
Cupper:300~400 W/m-k
SiC: 490 W/m-K
2、通过金属层来接合(wafer bonding)磊晶层和衬底，同时反射光子，避免衬底的吸收.
3、导电的Si 衬底取代GaAs 衬底，具备良好的热传导能力(导热系数相差3~4 倍)，更适应于高驱动电流领域。4、底部金属反射层﹐有利于光度的提升及散热
5、尺寸可加大﹐应用于High power 领域﹐eg : 42mil MB
二，GB芯片
定义：GB 芯片﹕Glue Bonding (粘着结合）芯片﹔该芯片属于UEC 的专利产品
特点：
1﹕透明的蓝宝石衬底取代吸光的GaAs衬底﹐其出光功率是传统AS (Absorbable structure)芯片的2倍以上﹐蓝宝石衬底类似TS芯片的GaP衬底.
1﹕透明的蓝宝石衬底取代吸光的GaAs衬底﹐其出光功率是传统AS (Absorbable structure)芯片的2倍以上﹐蓝宝石衬底类似TS芯片的GaP衬底.
2﹕芯片四面发光﹐具有出色的Pattern。
3﹕亮度方面﹐其整体亮度已超过TS芯片的水平(8.6mil)
4﹕双电极结构﹐其耐高电流方面要稍差于TS单电极芯片。
三、TS芯片
三、TS芯片
定义：TS 芯片﹕ transparent structure(透明衬底)芯片﹐该芯片属于HP 的专利产品。
特点：1.芯片工艺制作复杂﹐远高于AS LED
2. 信赖性卓越
3.透明的GaP衬底﹐不吸收光﹐亮度高
4.应用广泛
四、AS 芯片
定义﹕Absorbable structure (吸收衬底）芯片﹔经过近四十年的发展努力﹐台湾LED光电业界对于该类型芯片的研发﹑生产﹑销售处于成熟的阶段﹐各大公司在此方面的研发水平基本处于同一水平﹐差距不大. 大陆芯片制造业起步较晚﹐其亮度及可靠度与台湾业界还有一定的差距﹐在这里我们所谈的AS芯片﹐特指UEC的AS芯片﹐eg: 712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR 等
定义﹕Absorbable structure (吸收衬底）芯片﹔经过近四十年的发展努力﹐台湾LED光电业界对于该类型芯片的研发﹑生产﹑销售处于成熟的阶段﹐各大公司在此方面的研发水平基本处于同一水平﹐差距不大. 大陆芯片制造业起步较晚﹐其亮度及可靠度与台湾业界还有一定的差距﹐在这里我们所谈的AS芯片﹐特指UEC的AS芯片﹐eg: 712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR 等
特点： 1. 四元芯片﹐采用 MOVPE工艺制备﹐亮度相对于常规芯片要亮
2. 信赖性优良
3. 应用广泛
芯片种类
1、LPE：Liquid Phase Epitaxy(液相磊晶法) GaP/GaP
2、VPE：Vapor Phase Epitaxy(气相磊晶法) GaAsP/GaAs
3、MOVPE：Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (有机金属气相磊晶法) AlGaInP、GaN
4、SH：GaAlAs/GaAs Single Heterostructure(单异型结构)GaAlAs/GaAs
5、DH：GaAlAs/GaAs Double Heterostructure， (双异型结构) GaAlAs/GaAs
6、 DDH：GaAlAs/GaAlAs Double Heterostructure， (双异型结构) GaAlAs/GaAlAs
